Tek Kristal 5 * 5mm 6H-N Cilalı Silisyum Karbür Gofret
Ürün ayrıntıları:
Menşe yeri: | Çin |
Marka adı: | ZMKJ |
Model numarası: | Özel Boyut |
Ödeme & teslimat koşulları:
Min sipariş miktarı: | 1 parça |
---|---|
Fiyat: | by case |
Ambalaj bilgileri: | 100 dereceli temizlik odasında tek gofret paketi |
Teslim süresi: | 1-6weeks |
Ödeme koşulları: | T / T, Western Union, MoneyGram |
Yetenek temini: | 1-50pcs / ay |
Detay Bilgi |
|||
Malzeme: | SiC tek kristal 6H-N tipi | sınıf: | Test notu |
---|---|---|---|
Thicnkss: | 0,35 mm 0,5 mm | Suraface: | Cilalı |
Uygulama: | yatak testi | Çap: | 2 inç veya 10x10 mmt, 5x10 mmt: |
renk: | Yeşil | ||
Vurgulamak: | Cilalı Silisyum Karbür Gofret,6H-N Silisyum Karbür Gofret,Karbür Sic Yüzey Cips Gofret |
Ürün Açıklaması
Özel boyut / 10x10x0.5mmt /2 inç / 3 inç / 4 inç / 6 inç 6H-N / 4H-SEMI / 4H-N SIC külçeler / Yüksek saflıkta 4H-N 4 inç 6 inç çap 150 mm silikon karbür tek kristal (sic) alt tabakalar gofretlerS / Customzied as-cut sic wafer'lar
6H-N / 6H-Yarı 4H HPSI 5 * 10mmt 10x10mmt 5 * 5mm cilalı Silikon Karbür sic substrat cipsleri Gofret
Silisyum Karbür (SiC) Kristali Hakkında
Karborundum olarak da bilinen silisyum karbür (SiC), SiC kimyasal formülüne sahip silikon ve karbon içeren bir yarı iletkendir.SiC, yüksek sıcaklıklarda veya yüksek voltajlarda veya her ikisinde birden çalışan yarı iletken elektronik cihazlarda kullanılır. İC ayrıca önemli LED bileşenlerinden biridir, GaN cihazlarını büyütmek için popüler bir substrattır ve aynı zamanda yüksek sıcaklıklarda bir ısı dağıtıcı görevi görür. güç LED'leri.
Emlak | 4H-SiC, Tek Kristal | 6H-SiC, Tek Kristal |
Kafes Parametreleri | a = 3,076 Å c = 10.053 Å | a = 3.073 Å c = 15.117 Å |
İstifleme Sırası | ABCB | ABCACB |
Mohs Sertliği | ≈9.2 | ≈9.2 |
Yoğunluk | 3,21 g / cm3 | 3,21 g / cm3 |
Therm.Genleşme Katsayısı | 4-5 × 10-6 / K | 4-5 × 10-6 / K |
Kırılma İndeksi @ 750nm |
hayır = 2.61 |
hayır = 2.60 |
Dielektrik sabiti | c ~ 9.66 | c ~ 9.66 |
Termal İletkenlik (N-tipi, 0,02 ohm.cm) |
a ~ 4,2 W / cm · K @ 298K |
|
Isıl İletkenlik (Yarı yalıtım) |
a ~ 4,9 W / cm · K @ 298K |
a ~ 4,6 W / cm · K @ 298K |
Bant aralığı | 3.23 eV | 3.02 eV |
Kırılma Elektrik Alanı | 3-5 × 106V / cm | 3-5 × 106V / cm |
Doygunluk Kayma Hızı | 2,0 × 105 m / sn | 2,0 × 105 m / sn |
Yüksek saflıkta 4 inç çaplı Silisyum Karbür (SiC) Yüzey Spesifikasyonu
2 inç çaplı Silisyum Karbür (SiC) Yüzey Spesifikasyonu | ||||||||||
Derece | Sıfır MPD Sınıfı | Üretim Derecesi | Araştırma Notu | Dummy Grade | ||||||
Çap | 50,8 mm ± 0,2 mm | |||||||||
Kalınlık | 330 μm ± 25μm veya 430 ± 25um | |||||||||
Gofret Yönlendirme | Eksen dışı: 4H-N / 4H-SI için 4,0 ° <1120> yönünde ± 0,5 ° Eksende: 6H-N / 6H-SI / 4H-N / 4H-SI için <0001> ± 0,5 ° | |||||||||
Mikropipe Yoğunluğu | ≤0 cm-2 | ≤5 cm-2 | ≤15 cm-2 | ≤100 cm-2 | ||||||
Dirençlilik | 4H-N | 0,015 ~ 0,028 Ω • cm | ||||||||
6H-N | 0,02 ~ 0,1 Ω • cm | |||||||||
4 / 6H-SI | ≥1E5 Ω · cm | |||||||||
Birincil Daire | {10-10} ± 5.0 ° | |||||||||
Birincil Düz Uzunluk | 18,5 mm ± 2,0 mm | |||||||||
İkincil Düz Uzunluk | 10.0mm ± 2.0 mm | |||||||||
İkincil Düz Yönlendirme | Silikon yüz yukarı: 90 ° CW.Prime flat'den ± 5.0 ° | |||||||||
Kenar dışlama | 1 mm | |||||||||
TTV / Yay / Çözgü | ≤10μm / ≤10μm / ≤15μm | |||||||||
Pürüzlülük | Lehçe Ra≤1 nm | |||||||||
CMP Ra≤0,5 nm | ||||||||||
Yüksek yoğunluklu ışıktan kaynaklanan çatlaklar | Yok | 1 izin verilir, ≤2 mm | Kümülatif uzunluk ≤ 10mm, tek uzunluk 2mm | |||||||
Yüksek yoğunluklu ışıkla Hex Plates | Kümülatif alan ≤1% | Kümülatif alan ≤1% | Kümülatif alan ≤3% | |||||||
Yüksek yoğunluklu ışıkla Polytype Alanları | Yok | Kümülatif alan ≤2% | Kümülatif alan ≤5% | |||||||
Yüksek yoğunluklu ışıkla çizikler | 1 × wafer çapı kümülatif uzunluğa 3 çizik | 1 × wafer çapı kümülatif uzunluğa kadar 5 çizik | 1 × wafer çapı kümülatif uzunluğa kadar 5 çizik | |||||||
kenar çipi | Yok | 3 adet izin verilir, her biri ≤0,5 mm | 5 adet izin verilir, her biri ≤1 mm | |||||||
4H-N Tipi / Yüksek Saflıkta SiC gofret / külçe
2 inç 4H N-Tipi SiC gofret / külçe
3 inç 4H N-Tipi SiC gofret 4 inç 4H N-Tipi SiC gofret / külçe 6 inç 4H N-Tipi SiC gofret / külçe |
4H Yarı yalıtım / Yüksek Saflık SiC gofret 2 inç 4H Yarı yalıtımlı SiC gofret
3 inç 4H Yarı yalıtımlı SiC gofret 4 inç 4H Yarı yalıtımlı SiC gofret 6 inç 4H Yarı yalıtımlı SiC gofret |
6H N-Tipi SiC gofret
2 inç 6H N-Tipi SiC gofret / külçe |
2-6 inç için özel boyut
|
SiC Uygulamaları
Uygulama alanları
- 1 adet yüksek frekanslı ve yüksek güçlü elektronik cihaz Schottky diyotları, JFET, BJT, PiN,
- diyotlar, IGBT, MOSFET
- 2 optoelektronik cihaz: esas olarak GaN / SiC mavi LED substrat malzemesi (GaN / SiC) LED'de kullanılır
> Paketleme - Lojistik
Paketin her bir detayı, temizleme, anti-statik, şok tedavisi ile ilgilidir.
Ürünün miktarına ve şekline göre farklı bir paketleme sürecine gireceğiz!100 numara temizlik odasında neredeyse tekli gofret kasetleri veya 25 adet kaset ile.