 |
LED Aydınlatma için Yarı Yalıtımsız Galyum Arsenid Gofret Yüzey 2 inç 3 inç 4 inç
Ürün ayrıntıları:
| Menşe yeri: | Çin |
| Marka adı: | zmkj |
| Model numarası: | 2 inç YARI |
Ödeme & teslimat koşulları:
| Min sipariş miktarı: | 5 adet |
|---|---|
| Fiyat: | by case |
| Ambalaj bilgileri: | N2 altında 6 "plastik kutu içinde paketlenmiş tek gofret |
| Teslim süresi: | 2-4 hafta |
| Ödeme koşulları: | T/T, Western Union, MoneyGram |
| Yetenek temini: | ayda 500 adet |
|
Detay Bilgi |
|||
| Malzeme: | GaAs tek kristal | Boyut: | 4 inç |
|---|---|---|---|
| Kalınlık: | 625um veya özelleştirilmiş | TİPİ: | Daire |
| Oryantasyon: | （100）2°kapalı | Yüzey: | DSP |
| büyüme yöntemi: | VFG | ||
| Vurgulamak: | 4 İnç Katkısız Galyum Arsenid Gofret,Yarı Yalıtımlı GaAs Substrat,LED Aydınlatma Galyum Arsenid Gofret |
||
Ürün Açıklaması
2 inç/3 inç /4 inç /6 inç SCN Tipi/yarı yalıtımlı/Si katkılı Galyum arsenit GaAs Gofret
Ürün Açıklaması
2 '' ila 6 '' yarı iletken ve yarı yalıtkan GaAs kristal ve gofretimiz, yarı iletken entegre devre uygulamasında ve LED genel aydınlatma uygulamasında çılgınca kullanılmaktadır.
| Özellik | Uygulama alanı |
|---|---|
| Yüksek elektron hareketliliği | Işık yayan diyotlar |
| Yüksek frekans | lazer diyotları |
| Yüksek dönüştürme verimliliği | Fotovoltaik cihazlar |
| Düşük güç tüketimi | Yüksek Elektron Hareketli Transistör |
| Doğrudan bant boşluğu | Heterojunction Bipolar Transistör |
Yarı iletken GaAs gofret özellikleri
Büyüme Yöntemi | VGF | |||
dopant | p tipi: Zn | n-tipi: Si | ||
Gofret Şekli | Yuvarlak (çap: 2", 3", 4", 6") | |||
Yüzey Yönü * | (100)±0.5° | |||
* Diğer Oryantasyonlar istek üzerine sağlanabilir | ||||
dopant | Si (n-tipi) | Zn (p-tipi) | ||
Taşıyıcı Konsantrasyonu (cm-3) | ( 0.8-4) × 1018 | ( 0,5-5) × 1019 | ||
Hareketlilik (cm2/VS) | (1-2.5) × 103 | 50-120 | ||
Aşındırma Adım Yoğunluğu (cm2) | 100-5000 | 3.000-5.000 | ||
Gofret Çapı (mm) | 50,8±0,3 | 76,2±0,3 | 100±0,3 | |
Kalınlık (µm) | 350±25 | 625±25 | 625±25 | |
TTV [P/P] (µm) | ≤ 4 | ≤ 4 | ≤ 4 | |
TTV [P/E] (µm) | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 10 | |
ÇÖZGÜ (µm) | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 10 | |
(mm) | 17±1 | 22±1 | 32,5±1 | |
OF / EĞER (mm) | 7±1 | 12±1 | 18±1 | |
Lehçe* | E/İ, | E/İ, | E/İ, | |
Yarı yalıtımlı GaAs gofret özellikleri
Büyüme Yöntemi | VGF | |||
dopant | SI Tipi: Karbon | |||
Gofret Şekli | Yuvarlak (ÇAP: 2", 3", 4", 6") | |||
Yüzey Yönü * | (100)±0.5° | |||
* Diğer Oryantasyonlar istek üzerine sağlanabilir | ||||
Direnç (Ω.cm) | ≥ 1 × 107 | ≥ 1 × 108 | ||
Hareketlilik (cm2/VS) | ≥ 5.000 | ≥ 4.000 | ||
Aşındırma Adım Yoğunluğu (cm2) | 1.500-5.000 | 1.500-5.000 | ||
Gofret Çapı (mm) | 50,8±0,3 | 76,2±0,3 | 100±0,3 | 150±0.3 |
Kalınlık (µm) | 350±25 | 625±25 | 625±25 | 675±25 |
TTV [P/P] (µm) | ≤ 4 | ≤ 4 | ≤ 4 | ≤ 4 |
TTV [P/E] (µm) | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 10 |
ÇÖZGÜ (µm) | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 15 |
(mm) | 17±1 | 22±1 | 32,5±1 | ÇENTİK |
OF / EĞER (mm) | 7±1 | 12±1 | 18±1 | Yok |
Lehçe* | E/İ, | E/İ, | E/İ, | E/İ, |
SSS -
S: Ne lojistik ve maliyet sağlayabilirsiniz?
(1) DHL, Fedex, TNT, UPS, EMS, SF vb. Kabul ediyoruz.
(2) Kendi ekspres numaranız varsa, bu harika.
Değilse, teslim etmenize yardımcı olabiliriz.Navlun=USD25.0(ilk ağırlık) +USD12.0/kg
S: Nasıl ödeme yapılır?
Alibaba ve benzeri T/T, Paypal, West Union, MoneyGram, Güvenli ödeme ve Ticaret Güvencesi.
S: MOQ nedir?
(1) Envanter için minimum sipariş miktarı 5 adettir.
(2) Özelleştirilmiş ürünler için, minimum sipariş miktarı 5 adet-20 adettir.
Miktar ve tekniklere bağlıdır
S: Malzeme için denetim raporunuz var mı?
Ürünlerimiz için detay raporu sağlayabiliriz.
Paketleme – Lojistik
Paket, temizlik, anti-statik, şok tedavisinin her ayrıntısıyla ilgileniyoruz.Ürünün miktarına ve şekline göre,
farklı bir paketleme işlemi yapacağız!